光学学报, 2013, 33 (s1): s114004, 网络出版: 2013-06-07  

高功率532 nm千赫兹皮秒激光放大器

High-Power 532 nm Kilohertz Picosecond Laser Amplifier
作者单位
1 中国科学院物理研究所光物理重点实验室, 北京凝聚态物理国家实验室, 北京 100190
2 北京国科世纪激光技术有限公司, 北京 100192
摘要
利用半导体激光器抽运的NdYAG晶体实现了5.4 mJ、1 kHz的532 nm皮秒激光放大器,由自制的皮秒振荡器种子源、一级再生放大器、一个两通放大器、一个主放大器和倍频器组成。得到绿光的光束质量因子在切线和弧矢方向分别为1.39和1.96,功率不稳定度小于0.3%。
Abstract
We demonstrate a 532 nm and 1 kHz picosecond laser amplifier which is made up of one home-made picosecond oscillator seed, a regenerative amplifier, two-pass amplifier, a main amplifier, and a frequency doubler. The green laser has a beam quality factor of 1.39 and 1.96 for tangential direction and sagittal direction, respectively, and the long-term stability root mean square (RMS) is less than 0.3%.

王庆, 魏志义, 沈忠伟, 王兆华, 杨军红, 麻云凤. 高功率532 nm千赫兹皮秒激光放大器[J]. 光学学报, 2013, 33(s1): s114004. Wang Qing, Wei Zhiyi, Shen Zhongwei, Wang Zhaohua, Yang Junhong, Ma Yunfeng. High-Power 532 nm Kilohertz Picosecond Laser Amplifier[J]. Acta Optica Sinica, 2013, 33(s1): s114004.

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