红外技术, 2013, 35 (6): 368, 网络出版: 2013-08-01   

热释电探测器PZT晶片制备工艺研究

Study on Fabrication of Pyroelectric Detector PZT Wafer
作者单位
昆明物理研究所, 云南 昆明 650223
摘要
介绍了热释电探测器 PZT晶片制备工艺及选择锆钛酸铅( PZT)陶瓷材料制作敏感元的理论依据,阐述了晶片磨抛理论,对磨抛质量影响因素进行了细致分析。对比了几种抛光液对晶片表面的抛光效果,并进行了扫描电镜和表面粗糙度分析,得到了抛光后晶片表面的扫描电子显微镜(SEM)照片和晶片表面形态,确定了最佳抛光材料。通过理论和实践的结合,研制出了完全能满足器件工艺要求的热释电探测器晶片。
Abstract
This paper introduces the study of pyroelectric detector PZT wafer and the theory basis of choice of lead zirconate titanate(PZT)as sensitive element material. It also describes polishing and grinding theory. Factors affecting the polishing quality are analyzed in detail. The crystal surfaces polished by several different polishing liquid are analyzed by SEM, and SEM photos, surface roughness analysis and crystal surface morphology were gained. The best polishing material was determined. Through the combination of theory and practice, the pyroelectric detector wafer which could meet the technological requirements was got.

黄江平, 王羽, 袁俊, 王学森, 郭雨航, 余瑞云. 热释电探测器PZT晶片制备工艺研究[J]. 红外技术, 2013, 35(6): 368. HUANG Jiang-ping, WANG Yu, YUAN Jun, WANG Xue-sun, GUO Yu-hang, YU Rui-yun. Study on Fabrication of Pyroelectric Detector PZT Wafer[J]. Infrared Technology, 2013, 35(6): 368.

本文已被 1 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!