光学学报, 2014, 34 (2): 0214006, 网络出版: 2014-01-16   

基于半导体光放大器的暗脉冲的产生

Generation of Dark Pulse Based on Semiconductor Optical Amplifier
作者单位
1 天津大学电子信息工程学院, 天津 300072
2 天津理工大学电子信息工程学院薄膜电子与通信器件重点实验室, 天津 300384
摘要
采用基于半导体光放大器(SOA)的“8”字腔激光器结构,当SOA的驱动电流是220 mA时,通过调整腔内的偏振控制器(PC),产生脉冲宽度分别是74 ns和20 ns,重复频率分别是9 MHz(基频)和33.4 MHz(二倍频)的暗脉冲。改变SOA在非线性放大环镜(NALM)中的位置,暗脉冲的脉宽也有相应的改变。
Abstract
In the experiment of laser based on semiconductor optical amplifier (SOA), when the drive current of the SOA is up to 220 mA, by adjusting the polarization controller (PC), dark pulse is observed. The pulse durations are 74 ns and 20 ns with frequency repetition rates of 9 MHz (fundamental frequency) and 33.4 MHz (double frequency), respectively. By changing the position of the SOA in the nonlinear amplifying loop mirror (NALM), dark pulse width change accordingly.

潘洪刚, 于晋龙, 王文睿, 黄钢, 刘毅, 贾石, 杨恩泽. 基于半导体光放大器的暗脉冲的产生[J]. 光学学报, 2014, 34(2): 0214006. Pan Honggang, Yu Jinlong, Wang Wenrui, Huang Gang, Liu Yi, Jia Shi, Yang Enze. Generation of Dark Pulse Based on Semiconductor Optical Amplifier[J]. Acta Optica Sinica, 2014, 34(2): 0214006.

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