半导体光电, 2014, 35 (2): 214, 网络出版: 2014-04-28   

基于故障物理的MEMS可靠性研究

Study on MEMS Reliability Based on Physics of Failure
作者单位
1 中国工程物理研究院电子工程研究所, 四川 绵阳 621900
2 重庆大学 新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室, 重庆 400044
3 西南科技大学 信息工程学院, 四川 绵阳 621010
摘要
简要介绍了基于故障物理的MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems, 微电子机械系统)可靠性研究方法和技术路线。以电容式RF MEMS开关为例, 介绍了基于故障物理的MEMS可靠性研究方法的主要步骤, 包括: 采用多物理场3D有限元模型研究MEMS器件的行为, 应用MEMS器件的行为模型和失效物理试验技术研究其失效机理, 引入优值建立了通用的MEMS器件失效预测模型。
Abstract
Briefly described are reliability research methods and roadmap of the PoF-based MEMS (Micro-electro-mechanical systems). Using the capacitive RF MEMS switch as an example, main steps of the method are described, including the flowing steps: to study the MEMS devicesbehaviors with the 3D multi-physics finite element models, to study the MEMS devices failure mechanism with its behavior model and the PoF experiment technology, and to establish a common MEMS device failure prediction model with some certain introduced figure of merit.

高杨, 刘婷婷, 李君儒, 何婉婧. 基于故障物理的MEMS可靠性研究[J]. 半导体光电, 2014, 35(2): 214. GAO Yang, LIU Tingting, LI Junru, HE Wanjing. Study on MEMS Reliability Based on Physics of Failure[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2014, 35(2): 214.

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