中国激光, 2015, 42 (2): 0202002, 网络出版: 2015-01-09   

半导体环形激光器高偏置电流下的动态特性

Dynamic Characteristics of Semiconductor Ring Laser with High Bias Current
作者单位
太原理工大学物理与光电工程学院光电工程研究所, 新型传感器与智能控制教育部重点实验室, 山西 太原 030024
摘要
数值模拟了高的偏置电流下半导体环形激光器的动态特性,给出了不同反馈系数、偏置电流以及延迟时间下的混沌分叉图。详细的过程状态表明在不同参数下半导体环形激光器进入混沌的路径不同。结果发现半导体环形激光器在高的电流驱动下产生混沌信号具有高带宽的特点。并研究了不同的参数对混沌带宽的影响,发现在反馈系数为0.5时,混沌带宽可以达到18 GHz。
Abstract
The dynamic characteristics of semiconductor ring laser (SRL) with high bias current are numerically investigated, the bifurcation diagrams of different feedback coefficients, bias currents and delay time are displayed. The detailed process states demonstrate that the chaos paths with different parameters are different. The results show that the chaos generated by SRL with high bias current has broad bandwidth characteristic. The influences of parameters on the bandwidth of chaos are also studied. It is found that the widest bandwidth is about 18 GHz when the feedback coefficient is 0.5.

薛萍萍, 杨玲珍, 张建忠, 张朝霞. 半导体环形激光器高偏置电流下的动态特性[J]. 中国激光, 2015, 42(2): 0202002. Xue Pingping, Yang Lingzhen, Zhang Jianzhong, Zhang Zhaoxia. Dynamic Characteristics of Semiconductor Ring Laser with High Bias Current[J]. Chinese Journal of Lasers, 2015, 42(2): 0202002.

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