发光学报, 2015, 36 (5): 577, 网络出版: 2015-05-20   

大尺寸金属氧化物TFT面板设计分析

Design Analysis of Large Size Metal Oxide TFT Panel
作者单位
1 广州新视界光电科技有限公司, 广东 广州 510730
2 华南理工大学 发光材料与器件国家重点实验室, 广东 广州 510641
摘要
根据最基本的2T1C像素电路, 建立了TFT各参数与AMOLED面板限制因素的计算模型。详细分析了AMOLED显示尺寸与TFT迁移率、金属方块电阻、刷新频率以及器件结构的关系。在大尺寸高分辨率AMOLED面板设计中, 信号线RC延迟是主要限制因素。TFT迁移率的提高在一定范围内对大尺寸显示面板设计有利, 降低RC延迟是实现大尺寸、高分辨率、高刷新频率显示的关键技术。开发铜布线技术和低寄生电容TFT器件结构是未来大尺寸AMOLED显示的关键技术。
Abstract
According to the basic 2T1C pixel circuit, the calculation model of AMOLED panel and TFT parameters was established. The relationships of AMOLED display size with mobility of TFT, metal sheet resistance, refresh rate and TFT device structure were analyzed in detail. In the design of large size high resolution AMOLED panel, RC delay of signal line is the main limiting factor. The enhancement of TFT mobility is benefit for large size display panel within a certain range. Reducing the RC delay is the key technology to realize the large size, high resolution, high refresh rate display. Developing the copper wiring technology and TFT device structure with low parasitic capacitance is the key technology of large size AMOLED display in the future.

周雷, 徐苗, 吴为敬, 夏兴衡, 王磊, 彭俊彪. 大尺寸金属氧化物TFT面板设计分析[J]. 发光学报, 2015, 36(5): 577. ZHOU Lei, XU Miao, WU Wei-jing, Xia Xing-heng, Wang Lei, PENG Jun-biao. Design Analysis of Large Size Metal Oxide TFT Panel[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015, 36(5): 577.

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