中国激光, 2020, 47 (7): 0701011, 网络出版: 2020-07-10   

半导体微纳米线激光器研究进展 下载: 2767次特邀综述

Research Progress on Semiconductor Micro/Nanowire Lasers
于果 1,2李俊超 1,2温培钧 1,2胡晓东 1,2,*
作者单位
1 北京大学物理学院, 北京 100871
2 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室, 北京 100871
摘要
半导体微纳米线激光器可作为集成的相干光源,在光通信、光计算、传感器、生物学研究等领域有着广泛的应用前景。介绍了国内外在实现半导体微纳米线激光器波长可调谐及单模激射方面的研究进展。讨论了基于光子-激子强耦合效应的激子极化激元Bose-Einstein凝聚现象,为发展低激射阈值微纳米线激光器提供了新的途径。简述了基于激子极化激元的新型激光器的工作原理和新进展。
Abstract
Semiconductor micro/nanowire lasers can be used as integrated coherent light sources. Further, they can be extensively applied in various fields, including optical communication, optical computing, sensors, and biological studies. In this study, we review the domestic and international research progress on wavelength tuning and single-mode lasing of the semiconductor micro/nanowire lasers. Moreover, the Bose-Einstein condensation phenomenon of exciton-polariton based on the strong photon-exciton coupling effect is introduced as a new method to develop micro/nanowire lasers with low lasing thresholds. In addition, the operating mechanism of new lasers based on exciton-polariton and new achievements are presented.

于果, 李俊超, 温培钧, 胡晓东. 半导体微纳米线激光器研究进展[J]. 中国激光, 2020, 47(7): 0701011. Yu Guo, Li Junchao, Wen Peijun, Hu Xiaodong. Research Progress on Semiconductor Micro/Nanowire Lasers[J]. Chinese Journal of Lasers, 2020, 47(7): 0701011.

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