太赫兹科学与电子信息学报, 2015, 13 (2): 267, 网络出版: 2016-01-25  

有源器件端口反射系数测量方法分析

Analysis on the reflection coefficient measurement of the active device
作者单位
中国工程物理研究院 计量测试中心,四川 绵阳 621999
摘要
有源器件的端口反射系数是器件的主要参数,端口反射系数的大小直接影响信号的输出功率。为实现有源器件在“射频开”状态下端口反射系数的测量,开展了阻抗调谐器法和网络分析仪频率偏移法的源端口反射系数测量方法研究,并针对信号源和放大器开展了相应的实验。测量结果表明, 10 dBm输出时2种方法测得反射系数模值的差别小于 0.06,相位变化差别优于 10°,为有源器件端口反射系数的测量提供了可行的方法。
Abstract
Reflection coefficient of the active device is the main parameter which directly affects the output power of the signal. The twomethods-impedance tuner and Vector Network Analyzer(VNA) frequency shift , are analyzed in order to measure the reflection coefficient of active device on the state of "RF ON". Some measurement experiments on the signal generator and amplifier are performed. The resultsshow that, the difference between the two methods is less than 0.06,and the phase difference is below 10 °, under 10 dBm of the output. The work provides feasible ways to measure the reflection coefficient of active devices.

张翠翠, 王益, 王建忠. 有源器件端口反射系数测量方法分析[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2015, 13(2): 267. ZHANG Cuicui, WANGYi, WANG Jianzhong. Analysis on the reflection coefficient measurement of the active device[J]. Journal of terahertz science and electronic information technology, 2015, 13(2): 267.

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!