强激光与粒子束, 2016, 28 (6): 064109, 网络出版: 2016-04-12  

响应面方法的硅刻蚀工艺优化分析

Optimization of silicon etching process using response surface method
作者单位
沈阳仪表科学研究院有限公司, 沈阳110043
摘要
利用响应面分析方法优化了用于压力传感器硅敏感芯体的刻蚀操作条件。主要考虑了温度、KOH浓度和腐蚀时间三个操作参数, 将它们的范围分别设定为40~60 ℃, 0.4~0.48 mol/L 和 5~12.5 h, 并设定各向异性腐蚀速率为响应值。通过建立二次方模型, 分析这些参数的单独影响以及多个操作条件之间对腐蚀速率的相互交叠作用。分析结果表明: 模型可以精确预测99%的响应值, 相比于腐蚀时间, 溶液浓度和工作温度对刻蚀速率的影响更为明显。
Abstract
In this paper, the response surface methodology(RSM) is applied to optimizing the operating conditions of silicon etching for pressure sensor fabrication. Three operating parameters, the temperature, the KOH concentration and the etching time are considered in this study, and the ranges of them are 40-60℃, 0.4-0.48 mol/L and 5-12.5 h, respectively. A quadratic model is established to describe the anisotropic etching rate as the response value, and the individual effects of these operating parameters and the combined effects of multiple operating conditions on etching rate are examined.

付文婷, 梁峭, 崔可夫, 石天立, 张娜, 郑东明, 唐慧, 孙海玮. 响应面方法的硅刻蚀工艺优化分析[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28(6): 064109. Fu Wenting, Liang Qiao, Cui Kefu, Shi Tianli, Zhang Na, Zheng Dongming, Tang Hui, Sun Haiwei. Optimization of silicon etching process using response surface method[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28(6): 064109.

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!