发光学报, 2016, 37 (10): 1223, 网络出版: 2017-01-13   

二次耦合直流输出的金属氧化物TFT行驱动电路

Gate Driver Integrated by MOTFTs Using Twice-bootstrap DC Output Module
作者单位
1 华南理工大学 电子与信息学院, 广东 广州 510641
2 华南理工大学 发光材料与器件国家重点实验室, 广东 广州 510641
摘要
为了弥补现有氧化物TFT的行驱动电路输出模块在功率消耗、响应速度、输出摆幅等方面的不足, 提出了基于二次耦合的直流输出模块, 并由此研究设计新的行驱动电路拓扑。仿真结果表明, 该输出模块具有驱动能力强、响应速度快等优点。最后, 基于刻蚀阻挡层(ESL)结构的氧化物TFT工艺, 在玻璃衬底上成功制备了该行驱动电路, 实测单级功耗为325 μW。
Abstract
The gate driver integrated by metal oxide thin film transistors is able to lower the cost of driving ICs and narrow the bezel of display panel, but there are some disadvantages like poor power efficiency, slow response speed and small output swing for the existing output modules. In order to solve these problems, a novel twice-bootstrap DC output module was proposed, and a new gate driver topology was designed based on this module. The simulation results show that the circuit has strong driving ability and fast response speed. Finally, the gate drivers were successfully fabricated on glass substrate integrated by MOTFTs with etch stop layer structure. The power consumption of single stage of the gate driver is 325 μW.

胡宇峰, 李冠明, 吴为敬, 徐苗, 王磊, 彭俊彪. 二次耦合直流输出的金属氧化物TFT行驱动电路[J]. 发光学报, 2016, 37(10): 1223. HU Yu-feng, LI Guan-ming, WU Wei-jing, XU Miao, WANG Lei, PENG Jun-biao. Gate Driver Integrated by MOTFTs Using Twice-bootstrap DC Output Module[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(10): 1223.

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