中国激光, 2018, 45 (3): 0301001, 网络出版: 2018-03-20   

基于氧化石墨烯可饱和吸收体的低阈值被动调Q锁模Tm,Ho∶LiLuF4激光器 下载: 850次

Passively Q-switched Mode-Locked Low Threshold Tm,Ho∶LiLuF4 Laser with a Graphene Oxide Saturable Absorber
作者单位
1 天水师范学院激光技术研究所, 甘肃 天水 741001
2 陕西师范大学物理学与信息技术学院, 陕西 西安 710062
摘要
利用垂直生长法制备的氧化石墨烯(GO)作为可饱和吸收体,结合特殊设计的低阈值谐振腔,在Tm,Ho∶LiLuF4全固态激光器中实现了低阈值被动调Q锁模运转。出光阈值功率低至73 mW,稳定锁模阈值功率为663 mW,对应GO可饱和吸收体上功率密度为76.4 μJ·cm-2。典型的调Q脉冲包络重复频率为104.2 kHz,脉宽约为30 μs,包络下锁模脉冲序列的重复频率为178.6 MHz,调制深度接近100%。
Abstract
We demonstrate a stable, low threshold, passive Q-switched mode-locked Tm, Ho∶LiLuF4 solid-state laser with the graphene oxide (GO) prepared by vertical growth method as a saturable absorber and the special designed low threshold resonant cavity. The output power of the laser is as low as 73 mW, the stable mode-locked threshold power is 663 mW, and the corresponding power density of the GO saturable absorber is 76.4 μJ·cm-2. Typical Q-switched pulse envelope has a repetition frequency of 104.2 kHz and a pulse width of 30 μs. The repetition frequency of mode-locked pulse sequence is 178.6 MHz, and the modulation depth is close to 100%.

令维军, 夏涛, 董忠, 左银艳, 李可, 刘勍, 路飞平, 王勇刚. 基于氧化石墨烯可饱和吸收体的低阈值被动调Q锁模Tm,Ho∶LiLuF4激光器[J]. 中国激光, 2018, 45(3): 0301001. Ling Weijun, Xia Tao, Dong Zhong, Zuo Yinyan, Li Ke, Liu Qing, Lu Feiping, Wang Yonggang. Passively Q-switched Mode-Locked Low Threshold Tm,Ho∶LiLuF4 Laser with a Graphene Oxide Saturable Absorber[J]. Chinese Journal of Lasers, 2018, 45(3): 0301001.

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