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阳极氧化法制备Mg-Al复合氧化物绝缘层的研究

Preparation of Mg-Al Complex Oxide Insulating Layer by Anodic Oxidation

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摘要

栅绝缘层是薄膜晶体管(TFT)的关键组成部分, 低成本及低温制备是其未来的发展方向。阳极氧化法是可以实现这些目的的制备工艺技术之一。本文首先采用电子束蒸发在150℃的玻璃基板上制备Mg-Al合金薄膜, 然后使用阳极氧化法形成Mg-Al复合氧化物薄膜, 并对不同制备工艺条件下的薄膜结构、绝缘性能等进行了初步研究。所获得的Mg-Al氧化物薄膜具有均匀的非晶态结构以及较好的绝缘性能, 适合于用作TFT的栅绝缘层。

Abstract

Gate insulation is a key component of thin film transistor (TFT). The flexible display has strict requirements for the preparation temperature of TFT thin film. The anodic oxidation process is low in cost and can be used for the preparation of TFT at low temperature. In this paper, Mg-Al composite oxide gate insulation layer was prepared by anodic oxidation method, and its structure and insulation properties were studied, obtaining the insulation layer with good insulation performance.

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补充资料

中图分类号:TN141

DOI:10.19453/j.cnki.1005-488x.2018.01.004

所属栏目:研究与试制

基金项目:国家自然科学基金项目(10974136), 深圳市重点实验室提升项目(JCYJ20130408172903817), 深圳技术大学科研启动项目

收稿日期:2017-08-16

修改稿日期:--

网络出版日期:--

作者单位    点击查看

杨耀杰:深圳大学 光电工程学院电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室, 深圳 广东, 518060
杨俊华:深圳大学 光电工程学院电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室, 深圳 广东, 518060深圳技术大学 新材料与新能源学院, 深圳 广东, 518118
谭晓婉:深圳大学 光电工程学院电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室, 深圳 广东, 518060
李俊峰:深圳大学 光电工程学院电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室, 深圳 广东, 518060深圳技术大学 新材料与新能源学院, 深圳 广东, 518118
李庆青:深圳大学 光电工程学院电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室, 深圳 广东, 518060
偰正才:深圳大学 光电工程学院电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室, 深圳 广东, 518060深圳技术大学 新材料与新能源学院, 深圳 广东, 518118

联系人作者:偰正才(zcxie@126.com)

备注:杨耀杰(1991-), 男, 硕士, 主要从事金属氧化物半导体材料研究;

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引用该论文

YANG Yaojie,YANG Junhua,TAN Xiaowan,LI Junfeng,LI Qingqing,XIE Zhengcai. Preparation of Mg-Al Complex Oxide Insulating Layer by Anodic Oxidation[J]. Optoelectronic Technology, 2018, 38(1): 23-26

杨耀杰,杨俊华,谭晓婉,李俊峰,李庆青,偰正才. 阳极氧化法制备Mg-Al复合氧化物绝缘层的研究[J]. 光电子技术, 2018, 38(1): 23-26

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