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LCD面板TFT特性相关残像研究

Influence of TFT character on LCD image sticking

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摘要

残像是影响TFT-LCD画面品质的重要因素, 也是发生原因最为复杂的一种不良。本论文提出了一种定量测量残像水平的方法, 同时对TFT特性引起的残像不良进行了实验研究, 得到了由TFT特性引起的交流(AC)残像发生规律及发生机理。本文通过对比研究残像画面黑白格亮度与TFT漏电流变化曲线, 同时结合像素充放电计算公式进行电压差模拟, 发现黑白格像素放电差异导致的像素保持电位差异(ΔV>12.5 mV)是发生残像的根本原因。根据以上机理, 本论文提出了两种方法改善此类残像。第一种是通过改善TFT a-Si成膜工艺减小漏电流(<50 pA), 同时提升TFT特性的稳定性, 可以减小棋盘格画面残像评价导致的TFT转移特性曲线偏移; 第二种是通过改变栅压低电平, 避开关态时不同显示区域的TFT漏电流差异峰值; 以上两种方法均可以有效改善残像(ΔL<0.5 cd/m2)。

Abstract

Image sticking(I.S.) is a main factor that lowers the display quality in TFT-LCD, and it is also the most complicated issue that occurred on LC display. In this study, measuring method of I.S. level is proposed, and experiments are performed to find the relationship between image sticking and TFT transfer curve. The feature of AC image sticking is discovered, and the mechanism of the image sticking is obtained. By analyzing the luminance and TFT Ioff(Leakage current at TFT off state) on white(W) and black(B) area at chessboard image and comparing the simulation results, we find that the recharging difference of pixels on W and B area, which can be result in different pixel holding voltage(ΔV>12.5 mV), is responsible for image sticking. Based on this mechanism, we introduced two methods to improve image sticking. One way is to lower the TFT Ioff(<50 pA)and stabilize the TFT character during a-Si formation process, which can effectively decrease the shift of TFT transfer curve during the I.S. image aging. Another way is to adjust the gate low voltage(VGL)to a proper value that can deviate from the peak of ΔIoff curve of W and B area. This two methods is proved to solve the AC image sticking effectively(ΔL<0.5 cd/m2).

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补充资料

中图分类号:TN141.9

DOI:10.3788/yjyxs20183303.0195

所属栏目:材料与器件

收稿日期:2017-10-09

修改稿日期:2017-11-15

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作者单位    点击查看

许 卓:重庆京东方光电科技有限公司 产品技术部, 重庆 400700
金熙哲:重庆京东方光电科技有限公司 产品技术部, 重庆 400700
吴海龙:重庆京东方光电科技有限公司 产品技术部, 重庆 400700
周 焱:重庆京东方光电科技有限公司 产品技术部, 重庆 400700
张 智:重庆京东方光电科技有限公司 产品技术部, 重庆 400700
闵泰烨:重庆京东方光电科技有限公司 产品技术部, 重庆 400700
袁剑峰:重庆京东方光电科技有限公司 产品技术部, 重庆 400700

联系人作者:许卓(xuzhuo@boe.com.cn)

备注:许卓(1988-), 男, 湖南长沙人, 硕士, 工程师, 2011年于山东大学获得学士学位, 2014年于中山大学获得凝聚态物理硕士学位, 现为重庆京东方光电科技有限公司高级研究员, 主要从事TFT-LCD面板设计及产品技术相关工作。

【1】焦峰, 王海宏.TFT-LCD残像原理与分析(基础篇)[J].现代显示, 2012(4): 54-59.
JIAO F, WANG H H. The theory and analysis of TFT-LCD image sticking (Basis) [J]. Advanced Display, 2012(4): 54-59. (in Chinese)

【2】王丹, 梁晓, 唐洪.TFT-LCD液晶材料对显示残像的影响[J].液晶与显示, 2008, 23(4): 412-415.
WANG D, LIANG X, TANG H. Influence of TFT-LCD liquid crystal mixture on image sticking [J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2008, 23(4): 412-415. (in Chinese)

【3】焦峰, 王海宏.TFT-LCD残像原理与分析-加强篇一[J].现代显示, 2012(5): 16-20.
JIAO F, WANG H H. The theory and analysis of TFT-LCD image sticking-Upgrade Ⅰ [J]. Advanced Display, 2012(5): 16-20. (in Chinese)

【4】林鸿涛, 郤玉生, 胡海琛, 等.TFT-LCD中驱动信号对线残像的改善研究[J].液晶与显示, 2012, 27(3): 359-363.
LIN H T, XI Y S, HU H C, et al. Improvement research of line image sticking by drive signal in TFT-LCD [J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2012, 27(3): 359-363. (in Chinese)

【5】马群刚.TFT-LCD原理与设计[M].北京: 电子工业出版社, 2011.
MA Q G. TFT-LCD Theory and Design [M]. Beijing: Publishing House of Electronics Industry, 2011. (in Chinese)

【6】马占洁.改善a-Si TFT LCD像素电极跳变电压方法研究[J].现代显示, 2009(4): 19-22, 27.
MA Z J. The investigation to improve kickback voltage of pixel electrode of a-Si TFT LCD [J]. Advanced Display, 2009(4): 19-22, 27. (in Chinese)

引用该论文

XU Zhuo,JIN Xi-zhe,WU Hai-long,ZHOU Yan,ZHANG Zhi,MIN Tai-ye,YUAN Jian-feng. Influence of TFT character on LCD image sticking[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2018, 33(3): 195-201

许 卓,金熙哲,吴海龙,周 焱,张 智,闵泰烨,袁剑峰. LCD面板TFT特性相关残像研究[J]. 液晶与显示, 2018, 33(3): 195-201

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