强激光与粒子束, 2019, 31 (4): 040022, 网络出版: 2019-04-28   

基于MOSFET的高重复频率高压脉冲源设计

Design of high repetition rate and high voltage pulse generator based on metal oxide semiconductor field-effect transistor
作者单位
中国工程物理研究院 应用电子学研究所, 高功率微波技术重点实验室, 四川 绵阳 621900
摘要
设计了一种基于功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高压脉冲电源。该发生器采用多只MOSFET的串联技术, 形成高压、高重复频率开关组件。用高压开关组件开展脉冲发生器设计, 搭建了一个15只1 kV的高速MOSFET串联的脉冲发生器实验装置, 在500 Ω负载上获得前沿小于5 ns、幅度大于10 kV、脉宽约100 ns, 瞬态频率达400 kHz的高压脉冲。设计的高压开关组件结构紧凑, 可靠性高, 可应用于多种脉冲发生器。
Abstract
The paper presents a design of high voltage pulse generator based on metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET).The high voltage and high repetition rate switch module by stacking many MOSFET in series was investigated to generate high voltage pulse. A pulse generator was designed by the switch module. An experiment setup stacking 15 MOSFETs whose Vds is 1 kV was set up in series. A high voltage pulse with amplitude of 10 kV on 500 Ω load ,duration of about 100 ns and repeat frequency of 400 kHz was obtained. Because of the fine characteristic of compact-structure and high reliability, the high voltage switch module could be used in many type of pulse generator.

石小燕, 任先文, 刘平, 杨周炳. 基于MOSFET的高重复频率高压脉冲源设计[J]. 强激光与粒子束, 2019, 31(4): 040022. Shi Xiaoyan, Ren Xianwen, Liu Ping, Yang Zhoubing. Design of high repetition rate and high voltage pulse generator based on metal oxide semiconductor field-effect transistor[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2019, 31(4): 040022.

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