光学与光电技术, 2019, 17 (3): 66, 网络出版: 2019-07-20  

铜铟硒膜及其离子注入后的光电特性研究

Photoelectric Characteristic of CuInSe2 Film and its Ion Implantation
作者单位
1 深圳大学物理与能源学院, 广东 深圳 518060
2 深圳大学光电工程学院, 广东 深圳 518060
摘要
为了实现对铜铟硒膜光电性能的调制处理, 在制备不同厚度铜铟硒膜的基础上, 通过引入离子注入设计了不同的膜层结构。测试结果表明, 随着退火温度、溅射功率的改变, 薄、厚二种铜铟硒膜层的禁带宽度、电阻率、拉曼光谱均发生变化, 且表现有所区别。对铜铟硒膜进行离子注入后发现, 黄铜矿结构对应的拉曼峰减弱甚至消失, 表面晶格损伤较大; 单注入铝离子使得电阻率及禁带宽度均增大, 而单注入钛离子增大了禁带宽度但降低了电阻率, 双注入铝离子与钛离子则可以在较大范围内对电阻率、禁带宽度进行调制。
Abstract
In order to adjust the photoelectric characteristic of CuInSe2 fiims, CuInSe2 fiims with different thickness are prepared, and ion implantation are introduced to design different film structure. The results show that the band gap, resistivity and Raman spectrum of the thin and thick CuInSe2 films changed with the change of annealing temperature and sputtering power, and their performances are different. After ion implantation of CuInSe2 films, the Raman peak corresponding to Chalcopyrite structure weakened or even disappeared because the surface lattice damage is relatively large. Aluminum ions implantation can increase the resistivity and band gap, while titanium ions implantation can increase the band gap but decrease the resistivity. Aluminum ions and titanium ions co-implantation can modulate the resistivity and band gap in a wide range.

王世兴, 何伟坚, 王伟, 黄建军, 苏红. 铜铟硒膜及其离子注入后的光电特性研究[J]. 光学与光电技术, 2019, 17(3): 66. 王世兴, 何伟坚, 王伟, 黄建军, 苏红. Photoelectric Characteristic of CuInSe2 Film and its Ion Implantation[J]. OPTICS & OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, 2019, 17(3): 66.

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