侧向非对称光栅光场耦合特性的理论研究 下载: 1292次
1 引言
在激光通信等领域,光谱线宽是激光源的重要性能指标之一,较窄的光谱线宽可以有效地提升通信系统的性能[1-4]。如在相干光通信系统和密集波分复用光纤传输系统中,窄线宽激光光源可以适应更高效复杂的调制格式,降低光纤色散损耗并增加传输距离;当通信系统在低功率下工作时,窄线宽激光光源可以保证系统具备较小的误码率,有效地降低通信系统成本[5-7]。借助谐振腔中的布拉格光栅结构,分布式反馈(DFB)半导体激光器能够有效压窄激光线宽,因此其广泛应用于激光通信等领域[8-12]。传统的DFB半导体激光器通常将光栅制作在波导结构中,其制作过程中所必须的二次外延生长工艺容易在器件波导材料中引入杂质[13-15],导致非辐射复合增强,造成半导体激光器温度升高、电阻增大,并对光谱线宽造成一定影响。为解决这一问题,近年来研究人员逐渐针对表面光栅结构的DFB半导体激光器开展了探索研究。由于避免了二次外延生长工艺,折射率耦合型表面光栅DFB半导体激光器降低了器件的制作难度,一定程度上提高了器件的稳定性和可靠性[16-18]。
相比于脊波导表面光栅,侧向耦合光栅可以令DFB半导体激光器具有均匀、稳定的电流注入,因此目前报道的折射率耦合型表面光栅DFB半导体激光器多采用侧向耦合光栅结构。2014年英属哥伦比亚大学报道了一种利用干涉相消原理减小耦合系数的硅基波导光栅,并模拟证明这种结构的谐振腔具有较高的品质因数[19]。2017年纽约州立大学石溪分校采用侧向耦合光栅结构研制了耦合系数为1 cm-1、波长为3.22 μm的稳定单模半导体激光器,并实现了15 mW的输出功率[20]。同年,坦佩雷理工大学报道了一种交替侧向耦合表面光栅结构,实验表明,采用这种光栅结构的半导体激光器具有更低的阈值电流和更高的斜率效率[21]。受微纳加工技术水平的影响,近年报道的侧向耦合光栅多应用于工作波长较长的量子级联DFB半导体激光器中,此时光栅具有相对较大的周期。与此同时,侧向耦合光栅的耦合系数对占空比等结构参数较为敏感,光栅制作工艺的精度将显著影响半导体激光器的窄线宽、工作稳定性等特性。因此,在表面光栅的制作过程中,通常采用电子束曝光、纳米压印等精度较高的曝光工艺[22],并严格控制刻蚀条件以实现窄宽度图形的精准刻蚀[23-24],以尽量避免工艺误差等原因导致的光栅耦合系数偏离。例如,对于常规光栅如果占空比具有0.01的误差耦合系数通常会产生500 cm-1以上的偏差,对光栅的性能影响非常大。通过分析侧向非对称光栅耦合系数与光栅各结构参数的关系,优化设计侧向耦合光栅结构,可以在一定程度上避免工艺精度对光栅耦合系数的影响,深入的理论研究对光栅的应用具有重要意义,但相关研究报道较少。
本文基于微扰下的耦合模理论与模拟仿真全面分析了一种侧向非对称光栅结构的光场耦合特性,分析了非对称距离影响光栅耦合系数的机理。仿真分析发现,在非对称距离和脊型区宽度与光栅宽度之比控制在一定范围内时可以将光栅耦合系数稳定在一定范围内,此时光栅耦合系数对占空比和非对称距离的影响最小,有效缓解了光栅工艺误差对光栅性能的影响。
2 侧向非对称光栅耦合系数理论模型与仿真研究
2.1 侧向非对称光栅耦合系数理论模型
图 1. 非同步耦合光栅示意图。(a)三维图;(b)侧视图;(c)俯视图
Fig. 1. Schematic diagram of an unsynchronized coupled grating. (a) Three dimensional stereogram; (b) side view; (c) top view
耦合系数κ是DFB半导体激光器光栅性能的重要表征参数。对于腔长为L的DFB半导体激光器,耦合强度κL表征了其光栅的纵模选择能力。相关研究表明,将耦合强度设计在适当的范围(约为1),DFB半导体激光器可以实现谐振腔内光子的均匀分布,令激光器具有良好的单纵模性能[25]。光栅耦合系数κ与光栅折射率的周期性分布有关。根据耦合模理论,常规光栅的耦合系数[26]可以写为
式中:ω为光的圆频率;ε0为真空相对介电常数;Δε(x,y,z)是由于光栅折射率周期性变化而产生的相对介电常数微扰;E为光栅中的光场函数。式中积分区域为垂直光传播方向的光栅截面。光栅中n阶空间谐波的相对介电常数微扰为
式中:ng、na分别为光栅高、低折射率区。由(2)式可以看出,单一光栅的相对介电常数微扰受占空比、周期等光栅结构参数的影响。
由于具有相同的结构参数,仅需将坐标系沿着z轴平移Δz距离,即可采用相同的方法获得另一侧亚光栅的n阶空间谐波相对介电常数微扰,表示为
通过对比(2)式和(3)式可以看出,由于两个亚光栅在z方向存在非对称距离Δz,因此在(3)式中产生了相对相位差项
根据耦合模理论,分别将(2)式和(3)式代入(1)式中并相加整理,可以得到n阶侧向非对称光栅的耦合系数为
式中:cos2
光栅耦合系数与反射率的关系为
式中:L为光栅的长度。本文根据这个关系对光栅非对称距离对反射率的影响进行了模拟仿真,间接分析波导及光栅结构参数与耦合系数的关系。
2.2 侧向非对称光栅的仿真研究
不同脊型区宽度时光栅反射率随非对称距离在一个光栅周期内仿真与计算结果如
图 2. 不同脊宽时侧向非对称光栅反射率变化仿真与计算对比。(a) w=20 μm;(b) w=5 μm;(c) w=2 μm
Fig. 2. Comparison between simulation and calculation of lateral asymmetric grating reflectance changes with different ridge widths. (a) w=20 μm; (b) w=5 μm; (c) w=2 μm
图 3. 侧向非对称光栅不同位置横向光斑分布。(a1)(b1) Ⅰ;(a2)(b2) Ⅱ;(a3)(b3) Ⅲ;(a4)(b4) Ⅳ
Fig. 3. Transverse spot distribution at different positions of lateral asymmetric grating. (a1) (b1) Ⅰ; (a2)(b2) Ⅱ; (a3)(b3) Ⅲ; (a4)(b4) Ⅳ
图 4. 侧向非同步耦合DFB半导体激光器谐振腔纵向光场分布。(a) Δz/Λ=0;(b) Δz/Λ=0.23;(c) Δz/Λ=0.43;(d) Δz/Λ=0.50;(e) Δz/Λ=0.58
Fig. 4. Longitudinal optical field distribution in a resonator cavity of lateral asynchronous coupled DFB semiconductor laser. (a) Δz/Λ=0; (b) Δz/Λ=0.23; (c) Δz/Λ=0.43; (d) Δz/Λ=0.50; (e) Δz/Λ=0.58
3 分析与讨论
图 5. 光栅反射率与脊型区宽度的关系。(a)脊型区宽度与光栅反射率的关系;(b)脊型区宽度、非对称距离与光栅反射率的关系(h=4 μm)
Fig. 5. Relationship between grating reflectivity and ridge width. (a) Relationship between ridge width and grating reflectivity; (b) relationship between ridge width, asymmetric distance, and grating reflectivity (h=4 μm)
图 6. 光栅宽度、非对称距离与反射率的关系(w=5 μm)
Fig. 6. Relationship between grating width, dislocation distance, and reflectivity (w=5 μm)
图 7. 占空比、非对称距离与反射率的关系(w=2 μm; h=4 μm)
Fig. 7. Relationship between grating duty cycle, dislocation distance, and reflectivity (w=2 μm; h=4 μm)
以上模拟分析表明在光栅宽度与脊型区宽度之比大于1.5时,将侧向光栅设计成非对称的结构使得波导内的光场发生非同步耦合,在一定范围内光栅反射率不再随光栅占空比剧烈变化,并且随着光栅占空比的减小,耦合系数在非对称距离变化过程中稳定区间越来越大,这有利于光栅以及激光器性能的稳定,降低光栅制作的工艺难度。
4 结论
本文对一种表面侧向非对称光栅进行了系统地仿真研究,并基于微扰下的耦合模理论对其进行了分析。研究发现,当光栅宽度与脊宽之比大于1.5时,光栅的非对称分布使得光场不对称分布,从而导致两侧光场耦合叠加有效性降低,造成光栅反射率的降低。根据仿真结果可知,在光栅占空比γ<0.5时,侧向非对称光栅的耦合系数对占空比和非对称距离的依赖度在Δz/Λ=0.50附近的很大范围内都非常低,这增加了光栅制作工艺的容差及光栅参数设计的灵活性,并减小了制作工艺缺陷对光栅性能的影响。模拟结果同时表明,侧向非同步耦合光栅可以实现半导体激光器谐振腔内良好的光子密度分布和较小的激光器镜面损耗,有利于减小半导体激光器光谱线宽。该研究为相关器件结构和光栅的设计与研制提供了理论依据。
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