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2018年第38卷第5期1页
扫描干涉场曝光中光栅掩模槽形轮廓预测方法研究
鲁森
1
杨开明
1
朱煜
1
王磊杰
1
张鸣
1
录用时间:
2017-09-26
论文栏目
衍射与光栅
作者单位
1
清华大学机械工程系机电所IC制造装备及超精密测控研究室
论文摘要
扫描干涉场曝光是制造大面积平面光栅的先进光刻技术,精确的光刻模型可准确预测光栅的几何轮廓并为曝光显影参数选择提供理论指导。论文根据扫描干涉场曝光的特点,针对光刻胶层内曝光量的驻波效应,建立了动态曝光模型;然后基于快速推进法建立了显影模型,得到了光栅掩模槽形的演变规律。为减弱驻波效应的影响,提出了抗反射层最优厚度设计方法。仿真结果表明,建立的曝光显影模型能有效预测光栅掩模的槽形轮廓,同时可以优化抗反射膜厚度。
扫描干涉场曝光
曝光模型
显影模型
快速推进法
驻波效应
引用本文
鲁森, 杨开明, 朱煜, 王磊杰, 张鸣. 扫描干涉场曝光中光栅掩模槽形轮廓预测方法研究[J]. 光学学报, 2018, 38(5): 1.
复制并引用该论文
DOI:10.3788/aos201838.05衍射与光栅01
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