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光学学报
ESCI,EI,SCOPUS,CJCR,CSCD,北图
2018年第38卷第5期1页
4×15Gbit/s 850nm垂直腔面发射激光器列阵
录用时间:2017-10-09
论文栏目
激光器与激光光学
作者单位
1 北京工业大学激光工程研究院
2 北京工业大学
3 上海交通大学区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室
4 上海交通大学
5 江苏华芯半导体科技有限公司
论文摘要
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备生长InGaAs/AlGaAs应变多量子阱有源区和双氧化限制层的外延整体结构,利用断点监控电感耦合等离子体刻蚀技术、精确湿法氧化控制技术等芯片制造技术,实现了氧化孔径为7μm,相邻单元间隔250μm的高速调制4×15Gbit/s 850nm 垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵。测试得到VCSEL列阵的静态特性和动态特性,阈值电流0.7mA,斜效率0.8W/A, 6mA工作电流下,工作电压2.3V,光功率4.5mW。在非归零码NRZ调制15Gbit/s速率下,眼图轮廓清晰,线迹很细,抖动较小且无明显串扰。对比列阵各单元在15Gbit/s调制速率下眼图的上升时间、下降时间、信噪比、均方根抖动等相关参数,结果表明其动态性能一致性良好。同时利用箱线图分析得出外延片上VCSEL器件性能的一致性能良好,能够满足批量生产的要求。
引用本文
吕朝晨, 王青, 尧舜, 周广正, 于洪岩, 李颖, 郎陆广, 兰天, 张文甲, 梁辰余, 张杨, 赵风春, 贾海峰, 王光辉, 王智勇. 4×15Gbit/s 850nm垂直腔面发射激光器列阵[J]. 光学学报, 2018, 38(5): 1. 
DOI:10.3788/aos201838.05激光器与激光光学01
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