原子芯片上指数型布居增长的原子输运 | 网络首发 -- 中国光学期刊网

网络首发

光学学报

ESCI,EI,SCOPUS,CJCR,CSCD,北图

2018年第38卷第09期1页

原子芯片上指数型布居增长的原子输运

赵子豪 ¹王晓晨 ¹李博 ¹李萌 ¹蒋小军 ¹钱军 ¹李晓林 ²

录用时间：2018-02-11

论文栏目

原子与分子物理学

作者单位

¹ 中国科学院上海光学精密机械研究所

² 本所量子光学

论文摘要

研究各种物理系统中的宇称-时间（PT）对称/破缺机制及应用已成为光学、光子学和人工微结构等学科交叉前沿的活跃领域之一。超冷原子体系中观测增益平衡的PT对称，需产生受控的原子布居增益以及相干耦合。本文提出了动态控制原子芯片上双阱中原子输运实现原子布居指数增长的方法。我们采用直接蒙特卡洛方法数值研究了原子系综在双阱间的输运动力学。我们发现初始原子数和温度会显著影响输运效果，如目标势阱中的原子布居增益速率和转移效率。此外，我们还细致分析了左侧势阱抬升时间对右侧势阱中原子布居增长趋势的影响效果。我们的方案为在超冷原子气体中实现宇称-时间对称量子体系提供了切实可行的方法。

超冷原子原子芯片宇称-时间对称性双阱直接蒙特卡洛方法

引用本文

赵子豪, 王晓晨, 李博, 李萌, 蒋小军, 钱军, 李晓林. 原子芯片上指数型布居增长的原子输运[J]. 光学学报, 2018, 38(09): 1.

DOI：10.3788/aos201838.09原子与分子物理学01

PDF 全文：点击此处查看

网络首发

关于本站 Cookie 的使用提示

全站搜索

网络首发

浏览排行

下载排行

关于本站 Cookie 的使用提示

全站搜索