光学器件

为进一步提高红光微型LED阵列器件能量利用效率，本文对倒装AlGaInP LED阵列器件光电性能进行了研究。首先，测试对比了垂直型和倒装型AlGaInP LED两种芯片结构的出光性能，表明倒装型LED具有更高的出光功率。其次，建立了倒装型LED阵列出光功率模型，计算得到出光功率与环境温度及基底热阻的关系。随基底热阻增大、环境温度升高，AlGaInP LED阵列器件出光功率逐渐降低，出光饱和处对应的注入电流前移，光电性能逐渐下降。然后，采用转印法制备了6×6倒装AlGaInP LED阵列。测试表明，理论与实测结果较为一致。最后，利用有限元软件计算分析了Cu和PDMS两种常见基底的热阻随环境及结构变化的数值关系。结果显示，Cu基底散热较为均匀，优化基底结构或增加空气对流速率，对Cu基底热阻值的改变相对较小；PDMS材料散热均匀性相对较差，通过优化基底结构、增大空气对流速率可有效降低基底热阻，改善微型LED阵列器件的光电性能。

班章, 梁静秋, 吕金光, 李阳. 微型倒装AlGaInP LED阵列器件光电性能研究[J]. 光学学报, 2018, 38(09): 1.  复制并引用该论文