薄膜

为研制真空紫外与极紫外波段Al基薄膜光学元件，本文详细研究了Al基薄膜的应力特性以及其优化方法。利用应力实时测量装置对共溅射技术制备的5种不同Si掺杂质量分数（0、8.97%、16.49%、28.46%、45.73%）Al-Si复合薄膜进行应力测量，并通过X射线衍射法表征薄膜的结晶状态。结果表明：Al薄膜表现为压应力，随着Si在Al中掺杂质量分数的增大，Al的压应力减小，并且Al的结晶度降低，Al（111）晶向的晶粒也减小，Al的结晶被抑制。当Si掺杂质量分数从18.63%增大到31.57%，Al从压应力转变为张应力，且张应力随Si掺杂质量分数的增大进一步增大。本研究为制备Al基滤片、单层膜和多层膜元件提供了技术支撑，在极紫外光刻、同步辐射和天文观测领域有重要应用价值。

朱京涛, 周涛, 朱杰, 赵娇玲, 朱航宇. 磁控共溅射制备Si掺杂Al薄膜应力研究[J]. 光学学报, 2020, 40(14): 2.  复制并引用该论文