面向微显示的小电流655nm mirco-RCLED物理光学
1 北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室,北京
2 北京工业大学电控学院北京光电子技术实验室
3 北京市 朝阳区平乐园100号 北京工业大学电控学院光电子技术实验室
4 北京工业大学电子信息与控制工程学院北京光电子技术实验室
针对微显示对高外量子效率、低工作电流和稳定光谱波长的红光LED的需求,本文实现了一种将共振腔发光二极管与AlAs侧向氧化技术相结合的Micro_LED。该器件利用共振腔改变有源区自发辐射场的空间分布,将更多的光分布在光提取角之内以提高光提取效率,而且共振腔还有利于输出光谱波长的稳定。AlAs氧化孔对电流的横向限制既有利于降低侧壁的SRH非辐射复合,又可减小漏电,从而提高辐射复合效率。另外,P电极出光孔的直径大于AlAs氧化电流注入孔的直径,因此,金属P电极对出射光的吸收可以被有效地避免。在实验中,制作了3个并联的655nm Micro-RCLED,每个单元的出光孔径为17μm。 IdV/dI-I曲线的拟合结果显示合理的120Ω的串联电阻。器件在1 mA时的输出光功率为0.21mW,外部量子效率大于10%,并且可以在低于1μA的注入电流下点亮单个单元。另外,当工作电流密度变化12.5倍时,峰值波长仅增加1.5 nm,光谱的FWHM仅增加0.33 nm。这使得RCLED作为单色光源在Micro_LED中应用成为可能。
李建军, 曹红康, 邓军, 文振宇, 邹德恕, 周晓倩, 杨启伟. 面向微显示的小电流655nm mirco-RCLED[J]. 光学学报, 2020, 40(15): 2.
DOI:10.3788/aos202040.15物理光学02