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激光与光电子学进展
ESCI,SCOPUS,CJCR,CSCD,北图
2017年第54卷第1期5页
热退火处理ITO薄膜的光电特性研究
录用时间:2016-09-23
论文栏目
14
作者单位
 
论文摘要
应用电子束蒸镀ITO薄膜(ITO),在N2气环境中对ITO 膜进行不同温度下快速退火(Rapid Thermal Annealing )处理,采用X射线衍射仪、XPS、SEM、可见光分光谱仪、四探针测试仪,测试了快速退火处理(RTA)对电子束蒸镀制备ITO 薄膜的晶向、微结构、组分、光电特性,分析结果表明退火温度升高,有利于Sn释放5S轨道上的电子,Sn+4取代In+3形成新的化学键或不同的氧化态,提升Sn、In原子的结合能,增加Sn、In的氧化程度,增加了ITO 薄膜晶体的载流子浓度和迁移率,改善了ITO 薄膜晶体晶格畸变、缺陷密度与致密性,促进晶格失配的恢复,在经历450℃,10S的快速退火可获得光电特性较好ITO 薄膜。
引用本文
肖和平, 郭冠军, 马祥柱, 张双翔. 热退火处理ITO薄膜的光电特性研究[J]. 激光与光电子学进展, 2017, 54(1): 5. 
DOI:10.3788/lop54.011405
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