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GaSb和GaInSb晶体制备工艺的研究进展

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摘要

介绍了GaSb单晶的制备方法,包括提拉(CZ)法、布里奇曼(VB和HB)法、垂直定向凝固(VDS)法、垂直梯度冷凝(VGF)法,总结了它们的优缺点。研究结果表明,VB法、VDS法和VGF法更适合GaSb单晶的生长。In元素的掺入使GaSb晶体的质量得到了改善。进一步介绍了三元合金GaInSb晶体生长工艺的研究进展,提出微重力环境可以有效抑制晶体中In元素的成分偏析,提高晶体的均匀性。简单介绍了GaSb单晶材料在器件制作方面的应用,展望了GaInSb晶体材料的发展前景。

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DOI:10.3788/lop54.070007

作者单位:

    天津工业大学材料科学与工程学院
    天津工业大学

引用该论文

王晋伟,刘俊. GaSb和GaInSb晶体制备工艺的研究进展[J].激光与光电子学进展,2017,54(7):070007.