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n型与半绝缘6H-SiC晶体的超快载流子动力学

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摘要

载流子复合影响了基于SiC的光电器件的性能,通过缺陷的载流子复合是影响载流子寿命的最重要的因素之一。本文利用带间激发的超快瞬态吸收光谱来探究导电(n型)氮(N)掺杂和半绝缘(SI)钒(V)掺杂6H-SiC晶片的超快载流子复合动力学过程。n型6H-SiC的载流子弛豫由通过N杂质和/或固有缺陷的间接复合占主导,其寿命超过了10 ns。与n型6H-SiC相比,V的掺杂对SI 6H-SiC的瞬态吸收有显著的调制,这是源于V深能级的载流子俘获引起的一个额外的载流复合过程。载流子俘获寿命(~160 ps)比间接复合的速度快2个数量级以上。通过简化能级模型和全局分析,准确地获得了6H-SiC的载流子复合机制和寿命。

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DOI:10.3788/lop56.063201

作者单位:

    苏州科技大学
    苏州科技大学
    苏州科技大学
    苏州科技大学

引用该论文

聂媱,王友云,吴雪琴,方宇. n型与半绝缘6H-SiC晶体的超快载流子动力学[J].激光与光电子学进展,2019,56(06):063201.