摘要

本文报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究，并首次在该类激光器（Fabry-Perot腔激光器）中发现了单模工作特性，而且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36 ~ 68 mA)存在，在一定的电流(14 mA)范围内保持单模可调谐。在20℃，当器件注入电流为62 mA时，激光器单模工作情况下的最大边模抑制比（SMSR）为29.8 dB，在其他电流条件下该器件的边模抑制比也都大于20 dB。激光器在单模工作时，器件最大输出功率（单面）达到12.5 mW。对于具有相同结构和材料的FP腔激光器来说，在不同条宽或腔长的器件中都观察到上述单模工作特性。这一特性在一些单频激光的应用系统中具有较大的应用价值。

补充资料

DOI：10.3788/lop56.131402

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引用该论文

汤瑜,曹春芳,赵旭熠,杨锦,李金友,龚谦,王海龙. InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究[J].激光与光电子学进展,2019,56(13):131402.