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InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究

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摘要

本文报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并首次在该类激光器(Fabry-Perot腔激光器)中发现了单模工作特性,而且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36 ~ 68 mA)存在,在一定的电流(14 mA)范围内保持单模可调谐。在20℃,当器件注入电流为62 mA时,激光器单模工作情况下的最大边模抑制比(SMSR)为29.8 dB,在其他电流条件下该器件的边模抑制比也都大于20 dB。激光器在单模工作时,器件最大输出功率(单面)达到12.5 mW。对于具有相同结构和材料的FP腔激光器来说,在不同条宽或腔长的器件中都观察到上述单模工作特性。这一特性在一些单频激光的应用系统中具有较大的应用价值。

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补充资料

DOI:10.3788/lop56.131402

作者单位:

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
    曲阜师范大学
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
    曲阜师范大学物理工程学院

引用该论文

汤瑜,曹春芳,赵旭熠,杨锦,李金友,龚谦,王海龙. InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究[J].激光与光电子学进展,2019,56(13):131402.