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张应变Ge1-xSnx合金导带结构调控研究

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摘要

由于Ge1-xSnx比Ge的晶格常数大,Ge上外延Ge1-xSnx合金往往引入压应变,则将Ge1-xSnx合金调控为直接带隙材料就需要掺杂更高的Sn组分。为了寻找低Sn组分实现直接带Ge1-xSnx的方案,本文采用形变势理论系统地研究了双轴(001)、(110)、(111)晶面以及单轴[001]、[110]、[111]晶向张应变Ge1-xSnx导带结构。结果表明,在 (001)、(110)晶面施加双轴以及[001]晶向施加单轴张应变,直接带?能谷下降的速度快于间接带L能谷;而在(111)晶面施加双轴以及[110] 、[111]晶向施加单轴张应变,则间接带L能谷下降的速度快于直接带?能谷。提出了利用双轴(001)、(110)晶面以及单轴[001]晶向的张应变实现通过减小Sn组分调控Ge1-xSnx合金为直接带隙材料的策略。相关结论可为实验制备及器件仿真等提供关键参数和理论指导。

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补充资料

DOI:10.3788/lop57.071601

作者单位:

    福建工程学院
    福建工程学院

引用该论文

孙钦钦,黄诗. 张应变Ge1-xSnx合金导带结构调控研究[J].激光与光电子学进展,2020,57(07):071601.