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异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管结构仿真设计及分析 [Early Posting]

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摘要

高性能毫米波前端电路通常要求电路具有低插损,高隔离,集成度高等特性。异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管材料由于其固有的能带特点,可在保证其高耐压的条件下实现较低的插损,而被广泛应用在开关和限幅器等电路中。本文设计了一种针对毫米波开关及限幅器应用的异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管材料结构,对影响二极管性能的两个主要因素(Al掺杂浓度和I层厚度)进行分析和优化,并采用分子束外延与半导体工艺流片制备出了验证器件。测试结果表明,所制备的PIN二极管的开启电压为1.06V,击穿电压为26V。在1-40GHz频率范围内,插入损耗为1dB左右,隔离度为12dB,适合应用于毫米波开关和限幅器电路中。

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补充资料

DOI:10.3788/lop57.231602

作者单位:

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所

引用该论文

刘莉,李彩艳,张祁莲,孙晓玮,孙浩. 异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管结构仿真设计及分析[J].激光与光电子学进展,2020,57(23):231602.