激光热处理对硅锗芯石英包层光纤组分的影响

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激光与光电子学进展

ESCI,SCOPUS,CJCR,CSCD,北图

2021年第58卷第03期1页

激光热处理对硅锗芯石英包层光纤组分的影响

何建 ¹陈娜 ¹陈振宜 ¹刘书朋 ¹商娅娜 ²

录用时间：2020-06-12

论文栏目

作者单位

¹ 上海大学通信与信息工程学院

² 上海市闸北区延长路149号上海大学通信与信息工程学院

论文摘要

硅锗芯光纤因其在光电子领域极具应用潜力而备受关注。然而，硅锗合金在非平衡条件下凝固容易出现组分偏析，由光纤制备过程带来的组分分布不均匀问题，会导致很高的光纤损耗，从而成为制约其性能和应用的瓶颈。本文利用CO2激光对半圆柱硅棒和锗棒拼接法制备的硅锗芯石英包层光纤进行了热处理实验，研究了不同处理条件对纤芯组分的影响。实验结果表明，激光热处理可以在激光扫描长度的边缘处形成连续的富硅硅锗合金，并且越靠近扫描长度边缘，纤芯的组分越均匀。通过提升温度梯度和降低扫描速度，能够抑制组分过冷，避免发生严重的组分偏析。这为制备和优化硅锗芯光纤，控制纤芯组分提供了方法。

硅锗芯光纤光纤材料激光热处理组分偏析富硅均匀区

引用本文

何建, 陈娜, 陈振宜, 刘书朋, 商娅娜. 激光热处理对硅锗芯石英包层光纤组分的影响[J]. 激光与光电子学进展, 2021, 58(03): 1.

DOI：10.3788/lop58.030601

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