太赫兹技术

本文提出了一种以金属-电介质的复合结构为基本单元的磁导率μ近零的太赫兹超材料。在太赫兹波垂直入射超材料表面的情况下，当电场为TM偏振时，在1.44 THz谐振频率附近可得到μ近零的最优值为0，其μ近零的带宽（|μ| < 0.05）约为0.2 THz；当电场为TE偏振时，在0.978 THz谐振频率附近，得到μ近零的最优值为0，μ近零的带宽（|μ| < 0.05）约为0.1 THz。从而可以得出，该超材料在固定的几何参数下，通过改变偏振方向可以实现在不同频段上的近零效果。在此基础上，进一步分析了聚酰亚胺介质层厚度d的变化、金属层数以及入射角度的不同对磁导率近零的影响，并讨论了该结构的容差范围。这种μ近零的超材料在传感器、调制器、滤波器等太赫兹器件中具有广泛的应用前景。

孙慧慧, 延凤平, 谭思宇, 王伟, 苏思思. μ近零太赫兹超材料设计的仿真分析[J]. 中国激光, 2018, 45(6): 1.  复制并引用该论文