532 nm光诱导下低损耗As2S3光纤纤芯的光敏性及其光阻断效应现象

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中国激光

ESCI,EI,SCOPUS,CJCR,CSCD,北图

2018年第45卷第12期3页

532 nm光诱导下低损耗As2S3光纤纤芯的光敏性及其光阻断效应现象

邹林儿 ¹张泽 ¹傅继武 ²陈抱雪 ³

录用时间：2018-06-25

网络首发时间：2018-08-09

论文栏目

光纤光学与光通信

作者单位

¹ 南昌大学

² 南昌大学理学院物理系

³ 上海市军工路516号上海理工大学光学与电子信息工程学院

论文摘要

实验研究了低损耗硫系玻璃As2S3光纤的纤芯在532 nm近带隙光照射下的光敏性。实验结果表明，光开始照射时其纤芯的光致折射率变化朝负方向快速减小，然后随着光照时间延长，折射率变化朝正方向缓慢回复增加。这两个过程所经历时间和折射率变化大小取决于光照功率。光照射功率增大到一定阈值时，在回复过程，光致折射率变化出现正增加，且随光照功率继续增大和曝光时间延长，折射率变化可增加到约3×10-3。另外，实验初步制备As2S3光纤的布拉格光栅，曝光期间其中心波长位移也发生类似情况。同时，实验还发现，在近带隙光照下As2S3光纤出现光阻断效应现象, 其截止效率约为55%。

光纤光学 As2S3硫系玻璃光纤光致折射率变化光纤光栅光阻断效应

引用本文

邹林儿, 张泽, 傅继武, 陈抱雪. 532 nm光诱导下低损耗As2S3光纤纤芯的光敏性及其光阻断效应现象[J]. 中国激光, 2018, 45(12): 3.

DOI：10.3788/cjl201845.12光纤光学与光通信03

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