光谱学

等离子体处理可以有效消除GaAs表面态相关的发光，但同时也会对GaAs晶格产生损伤，形成大量的缺陷，影响其发光性能。因此，本文采用Ar等离子体处理GaAs纳米线，通过光致发光测试，研究等离子体偏压功率对GaAs纳米线发光性能的影响。实验结果表明，随着功率的增加，GaAs自由激子发光逐渐消失，束缚激子发光先减小后增加；当功率增加到200W时，出现施主-受主对的发光。通过对不同样品10K下发光光谱的对比，分析了等离子体处理过程中GaAs纳米线的结构变化，当处理功率较小时，Ar等离子体消除表面态的同时在GaAs中引入空位缺陷；而处理功率较大时，GaAs的晶体结构遭到破坏，形成施主类型的缺陷，得到施主-受主对复合的发光。本研究对促进GaAs纳米线在半导体光电器件的应用具有重要的意义。

高美, 李浩林, 王登魁, 王新伟, 方铉, 房丹, 唐吉龙, 王晓华, 魏志鹏. Ar等离子体处理对GaAs纳米线发光特性的影响[J]. 中国激光, 2019, 46(02): 5.  复制并引用该论文