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中国激光
ESCI,EI,SCOPUS,CJCR,CSCD,北图
2019年第46卷第02期2页
高应变InxGa1-xAs薄膜结晶质量及光学特性研究
录用时间:2018-09-21
论文栏目
材料
作者单位
1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
2 长春理工大学
论文摘要
通过分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)生长技术在GaAs(100)基片上生长单晶InxGa1-xAs薄膜,并通过反射高能电子衍射仪(Reflection high energy electron diffractometer,RHEED)实时监控薄膜生长情况。采用RHEED对GaAs衬底脱氧处理过程,GaAs缓冲层生长过程及InxGa1-xAs薄膜生长过程进行原位监测。对生长的InxGa1-xAs薄膜进行X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)测试,InxGa1-xAs表现为高质量的薄膜,且In组分为0.51。通过光致发光(Photoluminescence,PL)光谱测试可以发现室温下发光峰位~1.55 μm,且可以发现在InxGa1-xAs薄膜中存在压应变,使得光谱峰位出现蓝移。最后Raman光谱显示了GaAs-like TO模式的峰出现明显的展宽,证明了在三元合金InxGa1-xAs薄膜中存在应变。
引用本文
亢玉彬, 唐吉龙, 张健, 方铉, 房丹, 王登魁, 林逢源, 魏志鹏. 高应变InxGa1-xAs薄膜结晶质量及光学特性研究[J]. 中国激光, 2019, 46(02): 2. 
DOI:10.3788/cjl201946.02材料02
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