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高应变InxGa1-xAs薄膜结晶质量及光学特性研究

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摘要

通过分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)生长技术在GaAs(100)基片上生长单晶InxGa1-xAs薄膜,并通过反射高能电子衍射仪(Reflection high energy electron diffractometer,RHEED)实时监控薄膜生长情况。采用RHEED对GaAs衬底脱氧处理过程,GaAs缓冲层生长过程及InxGa1-xAs薄膜生长过程进行原位监测。对生长的InxGa1-xAs薄膜进行X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)测试,InxGa1-xAs表现为高质量的薄膜,且In组分为0.51。通过光致发光(Photoluminescence,PL)光谱测试可以发现室温下发光峰位~1.55 μm,且可以发现在InxGa1-xAs薄膜中存在压应变,使得光谱峰位出现蓝移。最后Raman光谱显示了GaAs-like TO模式的峰出现明显的展宽,证明了在三元合金InxGa1-xAs薄膜中存在应变。

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DOI:10.3788/cjl201946.0203002

作者单位:

    长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
    长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
    长春理工大学
    长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
    长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
    长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
    长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
    长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

引用该论文

亢玉彬,唐吉龙,张健,方铉,房丹,王登魁,林逢源,魏志鹏. 高应变InxGa1-xAs薄膜结晶质量及光学特性研究[J].中国激光,2019,46(02):0203002.