VCSEL氧化孔结构对器件激射性能的影响研究 | 网络首发 -- 中国光学期刊网

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中国激光

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2019年第46卷第03期1页

VCSEL氧化孔结构对器件激射性能的影响研究

梁静 ¹贾慧民 ¹冯海通 ²唐吉龙 ¹房丹 ¹苏瑞巩 ²张宝顺 ³魏志鹏 ¹

录用时间：2018-10-28

网络首发时间：2018-12-13

论文栏目

激光器件与激光物理

作者单位

¹ 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

² 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

³ 中国科学院苏州纳米所

论文摘要

摘要：为实现894.6 nm垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)低阈值、高稳定性、单模激光输出，设计了台面刻蚀结构不同的VCSEL器件，研究了台面直径和氧化孔结构对器件激射性能的影响。研究结果表明VCSEL台面直径越大，阈值电流越大；氧化孔径越偏向圆形，边模抑制比越高。利用研究结果对器件结构及工艺参数进行优化，制备出氧化孔为圆形，直径大小为4.4 μm的VCSEL器件，该器件在80 ℃~90 ℃工作温度环境中，0.6 mA驱动电流下实现894.6 nm单模激光输出，边模抑制比高于35 dB。

关键词：VCSEL 台面结构氧化孔激射性能边模抑制比

引用本文

梁静, 贾慧民, 冯海通, 唐吉龙, 房丹, 苏瑞巩, 张宝顺, 魏志鹏. VCSEL氧化孔结构对器件激射性能的影响研究[J]. 中国激光, 2019, 46(03): 1.

DOI：10.3788/cjl201946.03激光器件与激光物理01

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