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退火温度对铝掺杂氧化锌薄膜晶体质量及光电性质的影响

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摘要

本文研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性质的影响,发现AZO薄膜经过退火后,X射线衍射峰半峰宽从0.609°减小到0.454°,晶体质量得到提升,表面粗糙度降低,在600°C退火时表面粗糙度从0.841nm降低至0.738nm。电学性质方面,400°C退火时,载流子浓度从5.7*1018cm-3提高到1.9*1019cm-3,迁移率从2.5cm2V-1S-1提高到4.2cm2V-1S-1。但是当退火温度继续升高时,薄膜中氧空位浓度降低以及电荷在晶粒间传输的势垒改变,使载流子浓度和迁移率降低。同时,随着退火温度的逐渐升高,薄膜的吸收边先蓝移后红移,这是由于载流子浓度的变化,引起了莫斯-布尔斯坦效应导致的。

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补充资料

DOI:10.3788/cjl201946.0403002

作者单位:

    长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
    长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
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    长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
    长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
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    长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
    长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
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引用该论文

郭德双,陈子男,王登魁,唐吉龙,方铉,房丹,林逢源,王新伟,魏志鹏. 退火温度对铝掺杂氧化锌薄膜晶体质量及光电性质的影响[J].中国激光,2019,46(04):0403002.