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激光对供体-受体型聚合物忆阻器性能的影响

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摘要

利用强吸电子能力的异靛蓝与丙烯二氧噻吩和噻吩供体组成的 “供体-受体-供体” 类型的半导体聚合物 (IPDT) 构建了有机电子器件Al/IPDT/ITO。发现器件具有明显的忆阻特性,开/关电压为8/-7.5 V,高低电阻比达到102以上。研究了不同激光照射对器件忆阻性能的影响,结果表明:波长为632 nm、功率为3 mW的激光对忆阻性能的影响显著,照射20 s后负压区域的电流走向发生反转,器件由双极性开关特性转变为单极性开关特性。照射60 s后器件电流走向发生了反转,开/关电压降低到-2.2/1.3 V,高低电阻比提高到104;电流降低了一个量级,且I-V曲线的涨落减小,有效降低了器件的功耗;稳定性循环测试次数由原来的2000提高到3500,提高了数据读取的准确性和稳定性。

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补充资料

DOI:10.3788/cjl201946.0503001

作者单位:

    聊城大学物理科学与信息工程学院
    聊城大学物理科学与信息工程学院
    聊城大学物理科学与信息工程学院
    聊城大学物理科学与信息工程学院

引用该论文

袁帅,董瑞新,刘汝新,闫循领. 激光对供体-受体型聚合物忆阻器性能的影响[J].中国激光,2019,46(05):0503001.