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基于LIBS技术的铜铟镓硒薄膜中元素浓度比快速定量分析方法研究

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摘要

铜铟镓硒薄膜是一种带隙可调的、非常具有发展前景的半导体材料,可以通过调节特定元素的含量比例改变其禁带宽度的大小,因此为了使其禁带宽度达到最佳的理想状态,获得比较好的光学性能,需要对各种元素的含量比例进行实时、准确的分析检测。在实验中采取单靶磁控溅射的方法制备了不同溅射时间下的铜铟镓硒薄膜,并且使用LIBS技术成功的实现了对铜铟镓硒薄膜元素浓度比值的快速定量分析。实验得到的Ga/(In+Ga)谱线强度的相对比值与薄膜的禁带宽度呈现出规律性的变化,随着溅射时间的增加,二者的变化趋势保持同步,呈现出先减小后增大的规律;铜铟镓硒的LIBS光谱图以及谱线分析、几种元素辐射强度比值的快速定量分析都表明LIBS技术能够间接的实现对铜铟镓硒薄膜元素含量比的快速检测,为后续的薄膜性能分析与制备方法的优化提供强有力的辅助作用,为铜铟镓硒薄膜中元素以及类似的金属氧化物薄膜中元素的快速分析检测提供了一种全新的解决方案。

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补充资料

DOI:10.3788/cjl201946.0911001

作者单位:

    山东理工大学
    山东理工大学物理与光电工程学院
    山东理工大学

引用该论文

刘世明,修俊山,刘云. 基于LIBS技术的铜铟镓硒薄膜中元素浓度比快速定量分析方法研究[J].中国激光,2019,46(09):0911001.