半透明p-Cu2O/n-ZnO异质结的制备与性能研究 | 网络首发 -- 中国光学期刊网

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中国激光

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2020年第47卷第05期2页

半透明p-Cu2O/n-ZnO异质结的制备与性能研究

李金珠 ¹田爱玲 ²刘丙才 ¹王红军 ³朱学亮 ⁴

录用时间：2019-12-04

论文栏目

材料

作者单位

¹ 西安工业大学

² 0

³ 西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室

⁴ 西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室

论文摘要

为探索半透明非掺杂型异质结在薄膜太阳能电池中的应用，采用直流磁控溅射技术在氧化铟锡（ITO）衬底上沉积氧化亚铜（Cu2O）和氧化锌（ZnO）透明氧化物半导体薄膜，构成亚微米级的非掺杂型p-Cu2O/n-ZnO异质结器件。使用扫描电镜、X射线衍射仪、光谱仪和太阳能模拟器，研究在不同氩/氧比的条件下制备的Cu2O层对异质结的材料特性、光学特性及光电特性的影响。实验结果表明：具有氩/氧比为32：23的Cu2O层的p-Cu2O/n-ZnO异质结，其电流密度可达4.433mA/cm2，可用于薄膜太阳能电池。

异质结薄膜太阳能电池直流磁控溅射氧化亚铜薄膜氧化锌薄膜

引用本文

李金珠, 田爱玲, 刘丙才, 王红军, 朱学亮. 半透明p-Cu2O/n-ZnO异质结的制备与性能研究[J]. 中国激光, 2020, 47(05): 2.

DOI：10.3788/cjl202047.05材料02

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