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半透明p-Cu2O/n-ZnO异质结的制备与性能研究 [Early Posting]

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摘要

为探索半透明非掺杂型异质结在薄膜太阳能电池中的应用,采用直流磁控溅射技术在氧化铟锡(ITO)衬底上沉积氧化亚铜(Cu2O)和氧化锌(ZnO)透明氧化物半导体薄膜,构成亚微米级的非掺杂型p-Cu2O/n-ZnO异质结器件。使用扫描电镜、X射线衍射仪、光谱仪和太阳能模拟器,研究在不同氩/氧比的条件下制备的Cu2O层对异质结的材料特性、光学特性及光电特性的影响。实验结果表明:具有氩/氧比为32:23的Cu2O层的p-Cu2O/n-ZnO异质结,其电流密度可达4.433mA/cm2,可用于薄膜太阳能电池。

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补充资料

DOI:10.3788/cjl202047.0503002

作者单位:

    西安工业大学
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    西安工业大学
    西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室
    西安工业大学 陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室

引用该论文

李金珠,田爱玲,刘丙才,王红军,朱学亮. 半透明p-Cu2O/n-ZnO异质结的制备与性能研究[J].中国激光,2020,47(05):0503002.