2.75mm中红外GaSb基五元化合物势垒量子阱激光器激光器件与激光物理
1 中科院半导体研究所
2 中国科学院半导体研究所
3 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室
4 光电信息控制和安全技术重点实验室
5 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室
6 中科院半导体所超晶格微结构国家重点实验室
7 山西大学物理与电子工程学院固体量子材料中心实验室
设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱2.75mm波长激光器。采用AlGaInAsSb五元势垒有效降低势垒的价带能级并提高价带带阶,使量子阱发光波长红移至2.75mm波段。通过优化分子束外延生长参数,得到高发光效率量子阱激光器外延材料,在此基础上设计制备了1.5mm腔长、50um条宽、中心波长2.75mm的FP腔结构激光器,实现了室温连续激射,其最大输出功率60mW、阈值电流533A/cm-2。
袁野, 柴小力, 杨成奥, 张一, 尚金铭, 谢圣文, 李森森, 张宇, 徐应强, 牛智川, 宿星亮. 2.75mm中红外GaSb基五元化合物势垒量子阱激光器[J]. 中国激光, 2020, 47(07): 6.
DOI:10.3788/cjl202047.07激光器件与激光物理06