首页 > 论文 > 中国激光 > 47卷 > 07期(pp:0701006)

2.75mm中红外GaSb基五元化合物势垒量子阱激光器 [Early Posting]

  • 摘要
  • 论文信息
  • 参考文献
  • 被引情况
分享:

摘要

设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱2.75mm波长激光器。采用AlGaInAsSb五元势垒有效降低势垒的价带能级并提高价带带阶,使量子阱发光波长红移至2.75mm波段。通过优化分子束外延生长参数,得到高发光效率量子阱激光器外延材料,在此基础上设计制备了1.5mm腔长、50um条宽、中心波长2.75mm的FP腔结构激光器,实现了室温连续激射,其最大输出功率60mW、阈值电流533A/cm-2。

关键词

广告组1 - 空间光调制器+DMD
补充资料

DOI:10.3788/cjl202047.0701006

作者单位:

    中科院半导体研究所
    中科院半导体研究所
    中国科学院半导体研究所
    中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室
    中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室
    中国科学院半导体研究所
    光电信息控制和安全技术重点实验室
    中国科学院半导体研究所
    中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室
    中科院半导体所超晶格微结构国家重点实验室
    山西大学物理与电子工程学院固体量子材料中心实验室

引用该论文

袁野,柴小力,杨成奥,张一,尚金铭,谢圣文,李森森,张宇,徐应强,牛智川,宿星亮. 2.75mm中红外GaSb基五元化合物势垒量子阱激光器[J].中国激光,2020,47(07):0701006.