1160nm光泵外腔面发射激光器设计及制备激光器件与激光物理
1 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验
2 中科院长春光机与物理所激发态物理开放实验室
3 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所
4 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
5 中国科学院长春精密机械与物理研究所
6 长春光学精密机械与物理研究所
7 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态实验室
8 中科院长春光机与物理所 中科院长春光机与物理所激发态物理实验室
垂直外腔面发射半导体激光器（Vertical-External-Cavity Surface Emitting Lasers -VECSEL）兼具高功率、高光束质量以及波长可调谐等独特优势。1160nm波段VECSEL是医用橙黄激光的基频光源，但是其发光区的高应变InGaAs量子阱带来了严重的应变积累效应，限制了这类激光器的高功率输出。本文提出在单个发光区内采用GaAsP材料对高应变InGaAs量子阱进行二次补偿的方法，保证发光区内的光学吸收层具有高的材料生长质量；提出含Al吸收层结构降低GaAsP势垒带来的能带阻挡效应，提高了发光区光生载流子注入效率。所制备的VECSEL器件激光波长在1160nm，输出功率达到1.02W，并获得圆形对称的输出光斑形貌，光斑正交方向上的发散角分别为10.5°和11.9°（FWHM）。
张卓, 宁永强, 张建伟, 张继业, 曾玉刚, 张俊, 张星, 周寅利, 黄佑文, 秦莉, 刘云, 王立军. 1160nm光泵外腔面发射激光器设计及制备[J]. 中国激光, 2020, 47(07): 11.
DOI：10.3788/cjl202047.07激光器件与激光物理11
