摘要

在光泵浦外腔面发射激光器中，分别用Cr4+:YAG晶体和半导体可饱和吸收镜SESAM作为可饱和吸收介质，获得了稳定的调Q脉冲输出。使用Cr4+:YAG晶体时，调Q脉冲的宽度为10μs，脉冲重复频率为26.3kHz。在相同的脉冲重复频率下，用半导体可饱和吸收镜所获得的调Q脉冲宽度为8μs。基于外腔面发射激光器中增益芯片的量子结构，以及Cr4+:YAG晶体和半导体可饱和吸收镜各自的时间特性，分析讨论了两种不同的可饱和吸收介质作用下，外腔面发射激光器中调Q脉冲的形成过程，初步清晰了外腔面发射激光器这一特殊种类的激光器中与调Q过程相关的物理图像。

补充资料

DOI：10.3788/cjl202148.0701003

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引用该论文

张晓健,潘丽,曾颖,张洲,杨红伟,王彦照,王涛,朱仁江,范嗣强,张鹏. 调Q运转外腔面发射激光器[J].中国激光,2021,48(07):0701003.