激光与光电子学进展, 1985, 22 (4): 33, 网络出版: 2013-07-26
具有散热结构的SiO2层上多晶硅的激光诱导再结晶
摘要
以绝缘层上硅膜的激光诱导再结晶(SOI)作为三维集成电路的潜在材料在技术上是有意义的。三维集成电路是基于如下的现实，即目前的二维集成电路作为一种生产手段不久将达到其极限。
Abstract
倪庆霄. 具有散热结构的SiO2层上多晶硅的激光诱导再结晶[J]. 激光与光电子学进展, 1985, 22(4): 33. 倪庆霄. [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 1985, 22(4): 33.
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