发光学报, 2016, 37 (12): 1496, 网络出版: 2016-12-06
氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响
Effect of Hydrogen Annealing on The Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films Grown by LPCVD
基本信息
DOI: | 10.3788/fgxb20163712.1496 |
中图分类号: | O484.4;TN304 |
栏目: | 器件制备及器件物理 |
项目基金: | 江西科技学院博士科研启动基金、 “863”国家高技术发展计划(2012AA052401)、 国家自然科学基金(21571095)资助项目 |
收稿日期: | 2016-06-17 |
修改稿日期: | 2016-07-21 |
网络出版日期: | 2016-12-06 |
通讯作者: | 李旺 (kefanliwang@126.com) |
备注: | -- |
李旺, 唐鹿, 杜江萍, 薛飞, 辛增念, 罗哲, 刘石勇. 氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响[J]. 发光学报, 2016, 37(12): 1496. LI Wang, TANG Lu, DU Jiang-ping, XUE Fei, XIN Zeng-nian, LUO Zhe, LIU Shi-yong. Effect of Hydrogen Annealing on The Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films Grown by LPCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(12): 1496.