基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真 | 红外与毫米波学报 -- 中国光学期刊网

红外与毫米波学报, 2018, 37 (2): 184, 网络出版: 2018-05-29

基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真

Simulation of the multiplication zone for linear APD based on standard CMOS process

鞠国豪 ^1,2,3,*程正喜 ¹陈永平 ¹钟燕平 ^1,2

作者单位

¹ 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083

² 中国科学院大学,北京 100049

³ 上海科技大学信息科学与技术学院,上海 201210

标准CMOS工艺线性APD 掺杂分布峰值浓度深度仿真 standard CMOS process linear APD doping distribution depth of peak concentration simulation

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