发光学报, 2018, 39 (7): 968, 网络出版: 2018-08-30
硅掺杂氧化锡柔性薄膜晶体管的制备与特性
Preparation and Properties of Flexible Thin Film Transistors with Si-incorporated SnO2 Active Layer
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20183907.0968 |
| 中图分类号: | TN321.5 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家重点研发计划(2017YFB0404703)资助项目 |
| 收稿日期: | 2017-11-16 |
| 修改稿日期: | 2017-12-11 |
| 网络出版日期: | 2018-08-30 |
| 通讯作者: | 姚日晖 (yaorihui@scut.edu.cn) |
| 备注: | -- |
张建东, 刘贤哲, 张啸尘, 李晓庆, 王磊, 姚日晖, 宁洪龙, 彭俊彪. 硅掺杂氧化锡柔性薄膜晶体管的制备与特性[J]. 发光学报, 2018, 39(7): 968. ZHANG Jian-dong, LIU Xian-zhe, ZHANG Xiao-chen, LI Xiao-qing, WANG Lei, YAO Ri-hui, NING Hong-long, PENG Jun-biao. Preparation and Properties of Flexible Thin Film Transistors with Si-incorporated SnO2 Active Layer[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2018, 39(7): 968.
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