量子电子学报, 2018, 35 (6): 736, 网络出版: 2018-12-26   

温度对单层黑磷烯基态能量及带隙的影响

Effect of temperature on ground state energy and band bap of monolayer black phosphorene
作者单位
内蒙古民族大学物理与电子信息学院, 内蒙古 通辽 028000
引用该论文

赵翠兰, 王龙. 温度对单层黑磷烯基态能量及带隙的影响[J]. 量子电子学报, 2018, 35(6): 736.

ZHAO Cuilan, WANG Long. Effect of temperature on ground state energy and band bap of monolayer black phosphorene[J]. Chinese Journal of Quantum Electronics, 2018, 35(6): 736.

引用列表
1、 单层黑磷烯中磁极化子的基态性质量子电子学报, 2019, 36 (4): 500

赵翠兰, 王龙. 温度对单层黑磷烯基态能量及带隙的影响[J]. 量子电子学报, 2018, 35(6): 736. ZHAO Cuilan, WANG Long. Effect of temperature on ground state energy and band bap of monolayer black phosphorene[J]. Chinese Journal of Quantum Electronics, 2018, 35(6): 736.

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