生长周期对有机金属化学气相沉积法制备SiO2-InP光子晶体的影响 | 光学学报 -- 中国光学期刊网

光学学报, 2007, 27 (3): 482, 网络出版: 2007-03-15

生长周期对有机金属化学气相沉积法制备SiO₂-InP光子晶体的影响

Effect of Growth Cycle on SiO₂-InP Fabricated by MOCVD

谭春华 ^1,*黄旭光 ¹范广涵 ²

作者单位

¹ 华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术广东省高校重点实验室, 广州 510631

² 华南师范大学信息光电子科技学院光电子材料与技术研究所, 广州 510631

引用该论文

谭春华, 黄旭光, 范广涵. 生长周期对有机金属化学气相沉积法制备SiO₂-InP光子晶体的影响[J]. 光学学报, 2007, 27(3): 482.

谭春华, 黄旭光, 范广涵. Effect of Growth Cycle on SiO₂-InP Fabricated by MOCVD[J]. Acta Optica Sinica, 2007, 27(3): 482.

引用列表

1、新型双光子引发剂光聚合行为及微器件制备中国激光, 2009, 36 (6): 1528

谭春华, 黄旭光, 范广涵. 生长周期对有机金属化学气相沉积法制备SiO₂-InP光子晶体的影响[J]. 光学学报, 2007, 27(3): 482. 谭春华, 黄旭光, 范广涵. Effect of Growth Cycle on SiO₂-InP Fabricated by MOCVD[J]. Acta Optica Sinica, 2007, 27(3): 482.

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