利用一种新的嫁-砷激光器结构，美帝贝耳电话实验室已在近场和远场情况下获得对称辐射图案。这对于半导体激光器来说还是第一次。这种图案与具有外聚焦反射镜的气体激光器所产生的相似。这种GaAs结构似乎在内部完成了辐射聚焦，因而所产生的图案具有几个垂直带以及仅含一个单主垂直带的一些简单图案。图案简单，将有助于激光器与其他光学器件相耦合，并能增进光束的远距离传送。该实验室的激光器(P+-n-n+或 Ρ+-n+层)利用厚两微米或稍薄的p+层。制造GaAs激光器时，采用的是“条状接触”方式，故沿半导体长度的方向，就有一细条金属与P+层接触，因此仅为细条所复盖的区域才受到激励。该实验室认为，聚焦过程发生在激光器裂开面反射镜之间。