发光学报, 2013, 34 (3): 345, 网络出版: 2013-04-07
新型电子阻挡层结构对蓝光InGaN发光二极管性能的提高
Performance Improvement of Blue InGaN Light-emitting Diode with A Special Designed Electron-blocking Layer
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20133403.0345 |
| 中图分类号: | TM23;O242.1 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(61176043)、 广东省战略性新兴产业专项资金(2010A081002005, 2011A081301003, 2012A080304016)、 华南师范大学青年教师科研培育基金(2012KJ018)资助项目 |
| 收稿日期: | 2012-12-21 |
| 修改稿日期: | 2013-01-24 |
| 网络出版日期: | 2013-04-07 |
| 通讯作者: | 丁彬彬 (binbin776735309@126.com) |
| 备注: | -- |
丁彬彬, 赵芳, 宋晶晶, 熊建勇, 郑树文, 喻晓鹏, 许毅钦, 周德涛, 张涛, 范广涵. 新型电子阻挡层结构对蓝光InGaN发光二极管性能的提高[J]. 发光学报, 2013, 34(3): 345. DING Bin-bin, ZHAO Fang, SONG Jing-jing, XIONG Jian-yong, ZHENG Shu-wen, YU Xiao-peng, XU Yi-qin, ZHOU De-tao, ZHANG Tao, FAN Guang-han. Performance Improvement of Blue InGaN Light-emitting Diode with A Special Designed Electron-blocking Layer[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2013, 34(3): 345.
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