半导体光电, 2018, 39 (5): 675, 网络出版: 2019-01-10
全透明低回滞sSWCNT/Ag NW薄膜晶体管的可控制备
Fabrication of Fully Transparent and Low Hysteresis Thin Film Transistors Based on sSWCNT/Ag NW Electrodes
基本信息
DOI: | 10.16818/j.issn1001-5868.2018.05.014 |
中图分类号: | TN321.5 |
栏目: | 材料、结构及工艺 |
项目基金: | 国家重点研发计划项目(2016YFB0401104)、 国家自然科学基金项目(21373262, 21773292)、 中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDBSSWSLH031) |
收稿日期: | 2018-03-01 |
修改稿日期: | -- |
网络出版日期: | 2019-01-10 |
通讯作者: | 金赫华 (hhjin2008@sinano.ac.cn) |
备注: | -- |
吕前进, 余小芹, 吕正霞, 高冰, 张小品, 邱松, 金赫华, 门传玲, 李清文. 全透明低回滞sSWCNT/Ag NW薄膜晶体管的可控制备[J]. 半导体光电, 2018, 39(5): 675. LV Qianjin, YU Xiaoqin, LV Zhengxia, GAO Bing, ZHANG Xiaopin, QIU Song, JIN Hehua, MEN Chuanling, LI Qingwen. Fabrication of Fully Transparent and Low Hysteresis Thin Film Transistors Based on sSWCNT/Ag NW Electrodes[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2018, 39(5): 675.