半导体光电, 2018, 39 (5): 675, 网络出版: 2019-01-10  

全透明低回滞sSWCNT/Ag NW薄膜晶体管的可控制备

Fabrication of Fully Transparent and Low Hysteresis Thin Film Transistors Based on sSWCNT/Ag NW Electrodes
作者单位
1 上海理工大学 能源与动力工程学院, 上海 200093
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 先进材料研究部, 江苏 苏州 215123
基本信息
DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2018.05.014
中图分类号: TN321.5
栏目: 材料、结构及工艺
项目基金: 国家重点研发计划项目(2016YFB0401104)、 国家自然科学基金项目(21373262, 21773292)、 中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDBSSWSLH031)
收稿日期: 2018-03-01
修改稿日期: --
网络出版日期: 2019-01-10
通讯作者: 金赫华 (hhjin2008@sinano.ac.cn)
备注: --

吕前进, 余小芹, 吕正霞, 高冰, 张小品, 邱松, 金赫华, 门传玲, 李清文. 全透明低回滞sSWCNT/Ag NW薄膜晶体管的可控制备[J]. 半导体光电, 2018, 39(5): 675. LV Qianjin, YU Xiaoqin, LV Zhengxia, GAO Bing, ZHANG Xiaopin, QIU Song, JIN Hehua, MEN Chuanling, LI Qingwen. Fabrication of Fully Transparent and Low Hysteresis Thin Film Transistors Based on sSWCNT/Ag NW Electrodes[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2018, 39(5): 675.

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